осаждение
111умягчение осаждение реагентами — реагентное умягчение; отрасл. умягчение осаждение реагентами Умягчение путем обработки воды соответствующими реагентами, приводящая к выпадению ионов кальция и магния в виде труднорастворимых соединений. Примечание. В зависимости от характера… …
112дробное осаждение — фракционное осаждение …
113фракционное осаждение — дробное осаждение …
114электронно-лучевое осаждение — elektronpluoštis nusodinimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. electron beam deposition vok. Elektronenstrahlabscheidung, f rus. электронно лучевое осаждение, n pranc. déposition par faisceau d électrons, f; dépôt par faisceau …
115эпитаксиальное осаждение — epitaksinis nusodinimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. epitaxial deposition vok. epitaxiales Aufwachsen, n; Epitaxialwachstum, n rus. эпитаксиальное осаждение, n pranc. déposition épitaxiale, f; dépôt épitaxial, m …
116электролитическое осаждение — elektrolitinis dengimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. electrolytic plating; electroplating vok. galvanisches Überziehen, n; Galvanisieren, n; Plattierung, f rus. нанесение электролитического покрытия, n; электролитическое… …
117лазерное осаждение — lazerinis nusodinimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. laser deposition vok. Laserabscheidung, f rus. лазерное осаждение, n pranc. déposition par laser, f; dépôt par laser, m …
118многоступенчатое осаждение — daugiapakopis nusodinimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. multiple stage deposition vok. Mehrstufenabscheidung, f rus. многоступенчатое осаждение, n pranc. déposition à étages multiples, f; dépôt à étages multiples, m …
119молекулярно-пучковое осаждение — molekulpluoštis nusodinimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. molecular beam deposition vok. Molekularstrahlabscheidung, f rus. молекулярно пучковое осаждение, n pranc. dépôt à jet moléculaire, m; dépôt par jet moléculaire, m …
120низкотемпературное осаждение из паровой фазы — žematemperatūris garinis nusodinimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. low temperature vapor deposition vok. Tieftemperaturdampfabscheidung, f rus. низкотемпературное осаждение из паровой фазы, n pranc. déposition en phase… …
